柠檬试题库
search
首页
计算机
公务员
驾照
关于
share
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是( )。
A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
B.NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势
C.NOR Flash写入和擦除速度较慢
D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
热度🔥742
参考答案:D
解析:
【解析】NOR Flash和NAND Flash是市场上两种主要的闪存技术;NOR Flash ROM的特点是以字节为单位随机存取,但NOR Flash ROM写入和擦除速度较慢,影响了它的性能。NAND Flash ROM以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。但是它的读出速度稍慢,编程较为复杂,因此大多作为数据存储器使用。数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NANDFlash, D选项错误,故本题选择D。
复制题目向AI提问
content_copy
content_copy
扫码免费计算机二级刷题
2025年计算机等级考试题库
推荐
负责数据库中查询操作的数据库语言是( )。
如果一个基本表的数据量很小,查询以整表扫描为主,并且会频繁执行更新操作,则存储该表的最佳文件结构是()。
在一个采用虚拟页式存储管理方案的系统中,页面大小为50个整型变量。假设某一个进程分配有3个页框,其中程序占用2个页框并常驻内存。下列程序数据进行初始化时,会产生多少次缺页中断? for ( i = 1; i <= 50; i++ ) for ( j = 1; j <= 100; j++) C[ i, j ] = 0;
数据库管理系统是( )。
标签
三级嵌入式
flash
nor
nand
速度